【外延论文】微米级 β-Ga₂O₃ 薄膜在SiC/多孔Si/Si衬底上的结构特性与拉曼光谱

        由乌克兰塔夫里国立农艺大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为 Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga₂O₃ Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates（微米级 β-Ga₂O₃ 薄膜在SiC/多孔Si/Si衬底上的结构特性与拉曼光谱）的文章。

摘要

        利用 β-Ga₂O₃ 扩展光电子学和电力电子学的元件基的可能性，促使人们寻找高效制备其高质量薄膜的方法。在此，采用高频磁控溅射法在 SiC/多孔 Si/Si 衬底上沉积了厚度分别为 1.15 和 2.25 μm的 β-Ga₂O₃ 薄膜，并通过扫描电子显微镜、X 射线衍射（XRD）和显微拉曼光谱技术对其进行了表征。薄膜由平均尺寸为 62 和 10⁹ nm的 β-Ga₂O₃ 晶粒组成，沿 [100] 方向择优取向。相对于单晶，其晶格参数 c 的相对增加量不超过 1.5×10^-3。通过 β-Ga₂O₃ 薄膜拉曼光谱中声子模式参数没有任何显着变化，验证了从 XRD 图谱计算出的约 1×10^-3 的小应变值。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/adfb52