【其他论文】Ga₂O₃ 纳米线在水热法合成中选择性生长弱化的原因

        由北京工业大学的研究团队在学术期刊电子学报发布了一篇名为Weak Selective Growth of Ga₂O₃ Nanowires in Hydrothermal Synthesis（Ga₂O₃ 纳米线在水热法合成中选择性生长弱化的原因）的文章。

摘要

        超宽禁带半导体氧化镓纳米线作为一种具备独特性能的纳米材料，近年来在科学界引起了广泛的关注.作为第三代金属氧化物半导体的 ZnO，ZnO 纳米线的生长对衬底具有选择性，可以在与其同质的衬底上实现高均匀性的阵列，但在异质衬底上不易长出，从而实现自组织的微纳结构的图案化；然而对于新型金属氧化物半导体 Ga₂O₃ 来说，Ga₂O₃ 纳米线的生长对衬底的选择性并不强，在同质衬底上实现的阵列既不均匀也不密集，并且在各种衬底上也均可长出.本文通过水热法生长纳米线的多组对比性实验，全面且系统地探讨了影响Ga₂O₃ 纳米线形貌的因素，利用控制变量法研究各因素之间的关系，发现了 Ga₂O₃ 纳米线选择性生长出现弱化是因为晶格失配度不再是决定纳米线生长的唯一重要因素，并提出异质成核，把种子层的晶粒尺寸和粗糙度作为核心因素，发现它们是影响纳米线生长形态与密度的另一决定性因素，二者同时在 Ga₂O₃ 纳米线生长过程中发挥关键作用.这一结论对于深入理解 Ga₂O₃ 纳米线的生长机制并制备自组织器件结构具有重要的指导意义。

原文链接：

https://doi.org/10.12263/DZXB.20241047