【器件论文】基于 Ga₂O₃ 异质结深紫外探测器的开发与挑战

        由重庆大学的研究团队在学术期刊 ACS Photonics 发布了一篇名为 Development and Challenges of Ga₂O₃–Based Heterojunctions for Deep-UV Detectors（基于 Ga₂O₃ 异质结深紫外探测器的开发与挑战）的文章。

摘要

        深紫外（DUV）探测器 近年来因在导弹制导和安全卫星通信等应用中的潜力而受到越来越多关注。作为新兴的超宽带隙半导体之一，氧化镓（Ga₂O₃） 对太阳光谱中大部分“日盲区”具有灵敏响应，因此被认为是理想的 DUV 探测器材料。异质结光探测器 具有暗电流低、响应快、电流开关比大以及内建电场显著等优势，使其成为 Ga₂O₃ 光探测器的理想候选器件。本综述系统总结了基于 Ga₂O₃ 的新兴异质结 DUV 探测器的最新研究进展，重点阐述了其基本物理机理、关键参数及其与材料性能之间的关系。同时，本文还对正在探索的多种异质结结构（如 p–n、p–i–n）进行了深入分析，并将其设计与器件性能指标进行关联探讨。此外，本文还讨论了基于 Ga₂O₃ 异质结 DUV 光探测器在特定领域的未来应用潜力，并对限制器件性能和阻碍其商业化的挑战进行了剖析，提出了可能的解决思路。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsphotonics.5c01288