【会议论文】基于MBE生长Ga₂O₃中的杂质散射和掺杂控制

        论文介绍：来自康奈尔大学电气与计算机工程、康奈尔大学材料科学与工程系和康奈尔大学Kavli研究所的J. P. McCandless、B. Morell、V. Protasenko、H. G. Xing和D. Jena联合发表了一篇题目为《Impurity scattering and doping control in MBE grown Ga₂O₃》的论文文章。该文章介绍了氧化镓生长中的杂质散射和掺杂控制。