【会议论文】等离子体辅助分子束外延法在(010)和(001)β-Ga₂O₃薄膜中持续掺入Si

        论文介绍：来自加州大学圣芭芭拉分校材料科学系的Takeki Itoh1、Akhil Mazue、Yuewei Zhang和James S. Speck联合发表了一篇题目为《Continuous Si doping in (010) and (001) β-Ga₂O₃ films by plasma-assisted molecular beam epitaxy》的论文文章。该文章介绍了氧化镓的生长问题。