【会议论文】氮离子注入的β-氧化镓肖特基二极管的传导过程、建模和深能级

        论文简介：来自帕多瓦大学信息工程系、大阪市立大学物理和电子系和日本国立信息和通信技术研究所Carlo De Santi，Manuel Fregolent，Matteo Buffolo，东脇 正高，Gaudenzio Meneghesso，Enrico Zanoni和Matteo Meneghini联合发表了一篇名为《Conduction processes, modeling and deep levels in nitrogen-implanted β-Gallium oxide Schottky diodes》的论文文章。该文章介绍了关于氧化镓二极管的性能问题。