【外延论文】氮-氧-氮退火氧化镓、氧化铈镓及氧化镓铈薄膜的生长特性与物性比较研究

        由马来西亚理科大学的研究团队在学术期刊 Physica Scripta 发布了一篇名为Comparative Study of Growth and Properties of Nitrogen-Oxygen-Nitrogen Annealed Gallium Oxide, Cerium Gallium Oxide, and Gallium Cerium Oxide Films（氮-氧-氮退火氧化镓、氧化铈镓及氧化镓铈薄膜的生长特性与物性比较研究）的文章。

摘要

        本研究探讨了新型氧化镓铈三元薄膜在氧化镓和相分离的氧化镓铈薄膜上的结构、光学和电学特性进行了研究。在氮氧氮气氛中退火形成了稳定的单相结构。这种结构抑制了降低性能的缺陷，从而形成了更薄的界面层。新薄膜表现出卓越的电学性能，具有高介电常数、高击穿场强和极低的漏电流密度，优于其他薄膜。这些发现表明，氧化镓铈是硅基金属氧化物半导体（MOS）器件中极具前景的钝化层。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1402-4896/ae0bc5