【其他论文】宽带隙铜蓝铜矿/铟基透明导电氧化物界面：影响氧化镓形成及其性能的因素是什么？

        由德国埃尔朗根-纽伦堡大学的研究团队在学术会议 2025 IEEE 53rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) 发布了一篇名为 Wide band-gap Cu-chalcopyrite/In-based transparent conductive oxide interfaces: What affects the gallium oxide formation and its properties?（宽带隙铜蓝铜矿/铟基透明导电氧化物界面：影响氧化镓形成及其性能的因素是什么？）的文章。

摘要

        薄膜 (Ag,Cu)(In,Ga)(SSe)2 在串联太阳能电池器件中作为顶层电池具有广阔的应用前景。此类应用需将黄铜矿薄膜沉积于透明背接触层 (TBC) 之上，因此必须重新审视并优化成熟的背接触结构。本文通过剖析吸收层/TBC 层堆叠结构，揭示了氧化镓界面物种的形成机制，并探究工艺参数对最终化学结构与电子特性的影响。通过剖切吸收层/TBC 层堆叠结构，可使吸收层背面及暴露的 TBC 层暴露于表面敏感的能量依赖型 X 射线光电子能谱（XPS）表征。研究揭示氧化层厚度随吸收层镓含量、钠含量及其他合成相关变量显著变化。文末将探讨氧化层特性与器件性能之间的关联性。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/PVSC59419.2025.11133106