【会议论文】通过表面激活键合制造的P-Si/n-Ga₂O₃异质结构

        论文简介：来自日本情报通信研究机构、大阪市立大学住吉校区物理和电子系和坂井校区物理和电子系的Zhenwei Wang，Daiki Takatsuki， Jianbo Liang，Takahiro Kitada， Naoteru Shigekawa和Masataka Higashiwaki联合发表了一篇名为《P-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding》的论文文章。该文章向我们介绍了氧化镓异质结构的情况。