【外延论文】通过等离子体增强原子层沉积法在非晶态 GaOₓ 薄膜中掺入硅，用于介电与光电子应用

        由复旦大学的研究团队在学术期刊 IEEE Journal of the Electron Devices Society 发布了一篇名为Si Doping in Amorphous GaO_x Films via Plasma-Enhanced ALD for Dielectric and Optoelectronic Applications（通过等离子体增强原子层沉积法在非晶态 GaO_x 薄膜中掺入硅，用于介电与光电子应用）的文章。

摘要

        Ga₂O₃ 是具有代表性的下一代宽禁带半导体材料。在 Ga₂O₃ 中掺入硅元素对优化性能和拓展应用具有关键作用。在氧化镓薄膜的合成与掺杂技术中，等离子体增强原子层沉积（PEALD）因其高符合性、卓越均匀性和原子级成分精度而尤为突出。本研究通过 PEALD 技术制备了系列具有可控化学计量比的非晶硅掺杂氧化镓（Si-GaO_x）薄膜，并从表面形貌、化学成分、结构及光学特性等方面进行了系统表征。此外，通过金属-绝缘体-半导体（MIS）结构和光电二极管评估了薄膜的电学与光电行为。通过将亚周期比调制与硅浓度梯度相关联，确定了增强功能性的最佳掺杂水平。这些发现证明了 PEALD 制备的非晶态 Si-GaO_x 薄膜在介电和光电子应用中的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/JEDS.2025.3615614