【外延论文】单斜晶系氧化镓薄膜的特性及其在非线性RMC电路中的光忆阻器应用

        由巴西ABC联邦大学的研究团队在学术期刊 Advances in Computational Intelligence 发布了一篇名为 Properties of Monoclinic Gallium Oxide Film and Its Photomemristor Application in Nonlinear RMC Circuit（单斜晶系氧化镓薄膜的特性及其在非线性 RMC 电路中的光忆阻器应用）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）是一种具有巨大潜力的半导体材料，其超宽禁带（4.5–5.3 eV）和光敏特性使其适用于极端环境。在五种多形相中，β-Ga₂O₃ 作为最受研究且热力学最稳定的单斜晶系结构， 该材料广泛应用于电子器件与光探测器领域。本研究采用升级版离子束辅助沉积（IBAD）系统（具备超高真空 UHV 能力）生长了半绝缘性 Ga₂O₃ 薄膜。薄膜生长于 p 型硅衬底上，其晶体相通过 X 射线衍射（XRD）技术进行鉴定。通过卢瑟福背散射（RBS）技术测定镓和氧的化学计量比，并采用 Tauc 法计算出 4.35 eV 的带隙值。基于该薄膜制备的器件经电学测量展现出光电特性，证实其在光忆阻器领域的应用潜力。该光忆阻器被应用于 RMC（电阻-忆阻器-电容）电路中，用于模拟神经元膜时研究其非线性行为。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/978-3-032-02725-2_20