【国际时事】专注氧化镓研究，加州大学圣塔芭芭拉分校博士生Akhila Mattapalli获美国国防部NDSEG奖学金

        近日，美国国防部（DoD）公布了2025年度国家国防科学与工程研究生奖学金（NDSEG Fellowship）获奖名单。加州大学圣塔芭芭拉分校（UC Santa Barbara）材料系博士生 Akhila Mattapalli 凭借其在 β-氧化镓（β-Ga₂O₃）宽禁带半导体方向的研究成果，荣获这一极具竞争力的奖项。

        NDSEG 奖学金由美国国防部资助，旨在支持在国防相关领域从事前沿科学与工程研究的优秀博士生。获奖者将获得为期三年的全额资助，包括学费、每年44,400美元的生活津贴、医疗保险及科研差旅支持。今年全美仅有126名学生获奖，竞争极为激烈。

        在材料学副教授 Sriram Krishnamoorthy 的指导下，Mattapalli 正致力于 β-Ga₂O₃ 材料的外延生长及其在高功率电子器件中的应用研究。β-Ga₂O₃ 作为新一代超宽禁带半导体材料，具有优异的击穿电场强度和热稳定性，能够在更高功率密度、更高频率及极端条件下稳定运行，被视为下一代高压晶体管及日盲光电探测器的理想候选材料。

        Mattapalli 的研究重点是利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法制备高质量 β-Ga₂O₃ 外延薄膜，并基于此开发高性能垂直晶体管结构，以提升器件效率。她表示：“深入理解 β-Ga₂O₃ 的外延生长机制及其电子特性，对于实现高性能器件具有重要意义。随着数据中心和电子系统继续需要强大的功率处理能力，我的项目旨在通过开发一种在极端作条件下结合高性能、效率和可靠性的设备来满足这一需求。这项研究有潜力显著降低全球能源系统的功耗。”

        β-Ga₂O₃ 的研究被认为是第四代半导体的重要方向之一，预计将在电力电子、深紫外探测、航天器电源及国防电子系统等领域发挥关键作用。Mattapalli 获得 NDSEG 奖学金的消息，再次表明氧化镓在全球半导体科研版图中的战略地位正不断提升。