【会议论文】EFG法生长的β-Ga₂O₃单晶中用于控制掺杂的原料粉制备

        论文简介：来自韩国东义大学先进材料工程系、韩国量子材料公司、韩国Axel和韩国陶瓷工程和技术研究所的Tae-Wan Je、Su-Bin Park、Hui-Yeon Jang、Su-Min Choi、Mi-Seon Park、Yeon-Suk Jang、Won-Jae Lee、Jun Beom Kwon、Jung Won Park、Jin-Ki Kang、Yun-Ji Shin和Si-Yong Bae联合发表了一篇名为《Source powder preparation for doping control in β-Ga₂O₃ single crystal grown by EFG method》的论文文章。该文章介绍了EFG法生长的β-Ga₂O₃。