【器件论文】基于简易 MSM 结构的超高响应率微结构 Ga₂O₃ 日盲紫外探测器的紫外响应机制及其在各种场景中的应用

        由深圳大学的研究团队在学术期刊 Advanced Materials Technologies 发布了一篇名为 UV Response Mechanism of Ultra-High Response Microstructure Ga₂O₃ Based Solar-Blind UV Detector with Simple MSM Structure and the Applications of the Device in Various Scenes（基于简易 MSM 结构的超高响应率微结构 Ga₂O₃ 日盲紫外探测器的紫外响应机制及其在各种场景中的应用）的文章。

摘要

        超高灵敏度 Ga₂O₃ 日盲紫外探测器在各类场景中的实际应用，是电子信息产业新一代革命的关键课题。本文深入探究了混合微结构 Ag/Ga₂O₃/Ag 探测器（230 nm 波长下响应度达 3.77 × 10⁵ A W⁻¹@15 V）在不同条件下的高响应机制，并研究了混合结构 Ga₂O₃ 器件在各领域的应用前景。在低电压微弱紫外条件下，器件内部的空穴捕获机制为其应用于神经突触模拟提供了支持。中电压微弱脉冲紫外条件下，基于隧道击穿机制的快速响应与恢复特性，为该器件在紫外通信领域开辟了广阔前景。Ag/Ga₂O₃/Ag 探测器在 254 nm 波长下通过雪崩击穿机制实现卓越的高紫外电流（35 mA），推动其在导弹预警与臭氧空洞监测领域的应用。在不同测量条件下，单层结构 Ag/Ga₂O₃/Ag 探测器中纳米晶 Ga₂O₃/非晶 Ga₂O₃ 界面高密度分布引发的紫外响应机制变化，对推动混合微结构高性能 Ga₂O₃ 基探测器在神经突触模拟、紫外信息通信、导弹预警、臭氧空洞监测等领域的广泛应用具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/admt.202501257