【器件论文】调谐非化学计量比氧化镓基忆阻器的电学参数

        由印度爱兰斯大学的研究团队在学术期刊 Discover Materials 发布了一篇名为 Tuning the electrical parameters of non-stoichiometric gallium oxide-based memristor（调谐非化学计量比氧化镓基忆阻器的电学参数）的文章。

摘要

        在本工作中，通过调控化学计量比研究了基于氧化镓的忆阻器的电学性能。使用 SILVACO TCAD ATLAS 工具对三种不同氧化镓忆阻器（Ga₂O₃、Ga₂O_3-x、Ga₂O_x，其中 x = 1.1）进行了建模，器件的顶电极为钛（Ti），底电极为铜（Cu）。研究发现，氧空位及载流子动力学显著调控了忆阻器的电阻开关行为。三种器件的 ON/OFF 电流比存在差异，其中 Ga₂O_x 实现了最高的开关效率。滞回环验证了器件稳定的电阻开关特性。本研究强调了化学计量比在忆阻器导电机制中的关键作用。该工作为通过缺陷工程调控超宽带隙氧化物中的开关行为，从而提升忆阻器性能以实现节能存储器应用和下一代类脑计算提供了一种有效方法。

原文链接：

https://doi.org/10.1007/s43939-025-00368-7