【会议论文】利用卤化物气相外延法在6英寸晶圆上生长β-Ga₂O₃外延层

        论文简介：来自日本大阳日酸株式会社、日本NCT和东京农工大学应用化学系的K. Naito、Y. Shimizu、K. Sasaki、K. Goto和Y. Kumagai联合发表了一篇名为《Growth of β-Ga₂O₃ Layers on a 6-inch Wafer Using Halide Vapor-Phase Epitaxy》的论文文章。该文章介绍了氧化镓的外延生长。