【会议论文】通过等离子体辅助分子束外延生长β-Ga₂O₃的Geδ-掺杂

        论文简介：来自美国空军研究实验室材料和制造局，美国莱特州立大学电气工程系和美国ARCTOS技术解决方案有限公司的Thaddeus J. Asel，Erich Steinbrunner，Yunjo Kim，Adam T. Neal和Shin Mou联合发表了一篇名为《Ge delta-doped β-Ga₂O₃ grown via plasma-assisted molecular beam epitaxy》的论文文章。该文章介绍了β-Ga₂O₃的Geδ-掺杂。