【会议论文】在铟的作用下通过MOCVD生长的(001)β-Ga₂O₃同质外延薄膜的研究

        论文简介：来自中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院和南京理工大学材料科学与工程学院的Wenbo Tang，Yongjian Ma，Tiwei Chen，Xiaodong Zhang，Xin Zhou和Baoshun Zhang联合发表了一篇名为《Investigation of (001) β-Ga₂O₃ homoepitaxial films grown by MOCVD with assistance of indium》的论文文章。该文章介绍了β-Ga₂O₃同质外延薄膜的研究。