【会员新闻】镓仁半导体8英寸氧化镓突破入选2025年度浙江省重大科技成果

        2025年11月，2025中国浙江网上技术市场活动周暨第三届浙江科技创新合作大会在杭州盛大举行。杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）凭借“8英寸氧化镓单晶及衬底重大突破”成功入选浙江省科技厅2025年度重大科技成果，成为浙江科技创新“硬核实力”的重要代表，彰显我国在超宽禁带半导体领域从“跟跑”到“领跑”的关键跨越。

打破国际垄断

8英寸成果加速产业化落地

        作为第四代半导体核心材料，氧化镓凭借超宽禁带宽度、高击穿场强等优势，被视为新能源汽车高压平台、智能电网、AI 数据中心电源等领域的 “关键基石”。但长期以来，国际上氧化镓衬底制备受限于传统技术，存在尺寸小、成本高、与主流硅基产线不兼容等难题，严重制约产业化进程。

        镓仁半导体依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心的科研优势，由中国科学院院士杨德仁担任首席顾问，组建顶尖研发团队，独创 “铸造法” 氧化镓单晶生长技术，一举攻克多项行业痛点。镓仁半导体用三年时间完成从2英寸到8英寸氧化镓衬底的跨越式发展，创造 “每年迭代一个尺寸” 的行业纪录。

镓仁半导体氧化镓衬底尺寸快速演进

        2025年3月，公司全球首发8英寸氧化镓单晶及衬底，成为国际上首家掌握该尺寸单晶生长技术的企业。同年7月，镓仁半导体8英寸产品通过深圳平湖实验室、马尔文帕纳科亚太卓越应用中心等国内外权威机构检测，其XRD摇摆曲线半高宽最低仅12.4 arcsec，整体小于30 arcsec，达到国际领先水平。

镓仁半导体8英寸氧化镓

        这一突破不仅刷新了氧化镓衬底尺寸的全球纪录，更有望实现与现有硅基芯片产线的完全兼容，在材料利用率显著提高的同时大幅下降综合成本，为氧化镓从 “实验室” 走向 “生产线” 奠定关键基础。

多项荣誉加身

彰显浙江半导体企业创新风采

        2025年是镓仁半导体技术成果集中爆发的一年，除入选浙江省科技厅2025年度重大科技成果外，公司还凭借技术创新实力与产业化贡献斩获多项行业重量级荣誉，成为地方半导体产业发展的 “标杆力量”：

        2025.03

        镓仁半导体在全球规模最大的半导体行业盛会SEMICON CHINA展会上荣获 “SEMI 可持续发展杰出贡献奖”，彰显绿色生产理念。

        2025.04

        镓仁半导体在2025九峰山论坛（JFSC）荣获 “聚力同行奖”，体现产业链协同价值。

        2025.05

        镓仁半导体在浙江省半导体行业协会四届四次会员大会上获评浙江省半导体行业 “创新活力奖”，彰显在地方半导体产业中的创新引领地位。

        2025.09

        镓仁半导体代表杭州赛区获第十届 “创客中国” 浙江省总决赛企业组二等奖，随后成功跻身全国企业组500强，体现浙江 “科学家创业” 企业的强劲竞争力。

        2025.10

        镓仁半导体在2025半导体材料产业发展（郑州）大会暨中国电子材料行业协会半导体材料分会年会中，与4家国内半导体材料领域头部企业共同获“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”，以全链条技术创新为国内半导体材料产业升级注入动能。

        2025.11

        镓仁半导体在第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛中凭借 “8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破” 成功入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”，充分彰显浙江省半导体企业的创新实力与行业风采。

立足浙江辐射全国

以产业担当构建全球竞争优势

        自2022年9月在杭州市萧山区成立以来，镓仁半导体始终扎根浙江这片创新沃土，充分依托地方政策与产业生态优势实现快速发展。落地萧山后，公司先后获评 “5213” 项目、领军型创新创业项目，并在2024 年获得近亿元 Pre-A 轮融资，为技术研发与产业化落地注入资金活水。目前，公司已获批国家级科技型中小企业、浙江省专精特新中小企业等多项资质，形成 “政策赋能 + 资本助力 + 技术创新” 的良性发展格局。

        在产品市场化布局中，镓仁半导体已实现从核心设备到关键材料的全面落地。

        设备端，公司自主研发了VB法氧化镓专用晶体生长设备。该设备采用非铱（Ir）坩埚材料，可在空气气氛下工作，不仅可稳定生长多种晶面大尺寸单晶，还支持向更大尺寸升级，已批量供应国内10余家高校、科研院所及半导体企业，助力下游加速大尺寸氧化镓材料研发。

镓仁半导体自研VB法生长设备

        材料端，除大尺寸氧化镓衬底外，公司（011）晶面氧化镓衬底片已实现稳定量产，凭借独特晶面特性满足高频器件、传感器等多元化应用需求，已完成多家客户的供货验证；厚膜氧化镓同质外延片（厚度超10μm）则以膜厚均匀性（σ<1%）、高结晶质量（XRD摇摆曲线半高宽<40 arcsec）的优势，成为高性能功率器件厂商的核心选择。

镓仁半导体6英寸氧化镓同质外延片

        在行业标准建设与技术转化层面，镓仁半导体也积极贡献 “镓仁智慧”。2025 年，公司不仅作为牵头起草单位参与《氧化镓单晶位错密度测试方法》《β 相氧化镓同质外延片》两项团体标准草案评审，还以参与单位身份推动《氧化镓衬底位错密度无损检测方法 X 射线形貌法》团体标准立项，为浙江乃至全国氧化镓产业标准化、规范化发展奠定基础。此外，镓仁半导体参与起草的《半导体单晶材料透过率测试方法》国家标准已正式发布，该标准填补了国内半导体单晶透过率测试领域的标准空白，为行业提供了统一、规范的检测依据。

        放眼未来，镓仁半导体将继续以浙江为创新核心阵地，持续推进氧化镓材料的尺寸迭代与质量升级，加快“铸造法”技术的产业化应用。同时，公司将进一步深化全国市场布局，加强国际技术交流与合作，力争在更大尺寸、更高性能氧化镓材料研发上实现新突破，助力浙江打造全球超宽禁带半导体产业创新高地，为中国半导体产业的自主可控发展贡献 “镓仁力量”。

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