【会议论文】β-Ga₂O₃(-201)衬底上的镁掺杂氮化镓的RF-MBE生长

        论文简介：来自日本工学院大学工学研究科和日本NCT的Tomoya. Yamaguchi，Mahiro. Hayasaki，Tomohiro. Yamaguchi，Tohru. Honda，Kohei. Sasaki，Akito. Kuramata和Takeyoshi. Onuma联合发表了一篇名为《RF-MBE growth of Mg doped GaN on β-Ga₂O₃ (-201) substrates》的论文文章。该文章介绍β-Ga₂O₃(-201)衬底上的镁掺杂氮化镓的RF-MBE生长。