【器件论文】用于超低电阻 Ga₂O₃ 和 GaN 功率开关的新型超外差结

        会议收录期刊 ECS Meeting Abstracts 收录了由美国加利福尼亚大学的研究团队发布的名为 Novel Superheterojunctions for Ultra-Low Resistance Ga₂O₃ and GaN Power Switches（用于超低电阻 Ga₂O₃ 和 GaN 功率开关的新型超外差结）的文章。

摘要

        功率器件中的电荷平衡漂移层技术，通过采用高掺杂漂移层大幅降低功率开关的导通电阻，显著减少导通损耗。在传统硅基超结器件中，需采用精心设计的纵横比与净电荷平衡的交替排列 n 型/p 型材料柱，这要求严格的工艺与掺杂控制。本次报告将介绍两种创新方案，分别应用于 Ga₂O₃ 和 GaN 功率二极管结构，可突破单极性性能指标的限制。首先提出横向介质超结肖特基势垒二极管（SBD），通过将漂移层内电场从三角形改为矩形分布，既提升击穿电压，又允许采用更高掺杂浓度的漂移层以降低导通电阻。其次，将探讨 p-NiO/n-GaN 与 p-NiO/p-GaN/n-GaN 横向超异质结结构在横向 GaN 二极管中的击穿增强应用，该技术可延伸至晶体管领域以实现更高的击穿电压和更低的导通电阻。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/MA2025-02351715mtgabs