【器件论文】利用 p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结界面内建电场实现零偏压光诱导电荷分离

        由美国中佛罗里达大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Zero-bias photo-induced charge separation using built-in electric field at p-NiO/n-Ga₂O₃ heterojunction interface（利用p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结界面内建电场实现零偏压光诱导电荷分离）的文章。

摘要

        作为替代制造坚固 β-Ga₂O₃ p–n 同质结这一难题的可行方案，本研究在零偏压条件下探究了 p-NiO/n-Ga₂O₃ 异质结光电二极管的变温光电流特性。利用器件内建电场实现非平衡光生载流子的高效分离。为验证实验结果，通过计算机模拟异质界面电场分布，并与实验测得的电流-电压曲线及电容-电压曲线进行关联分析。光电流测量证实 n-Ga₂O₃ 带隙随温度升高而缩窄，符合 Varshni 方程的预测。低温下光电流幅值的衰减归因于带隙增宽，导致激发波长产生的非平衡载流子数量减少。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0297247