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【其他论文】Er³⁺ 在 Ga₂O₃ 中的稳定性、电子量子态及磁性相互作用

日期:2026-01-26阅读:52

        由美国爱荷华大学的研究团队在学术期刊 Physical Review Materials 发布了一篇名为Stability, electronic quantum states, and magnetic interactions of Er3+ ions in Ga2O3(Er3+ 在 Ga2O3 中的稳定性、电子量子态及磁性相互作用)的文章。

摘要

        本文报告了一项从头算研究,探讨了掺铒(Er)宽带隙 α- 和 β-氧化镓(Ga2O3)的相稳定性、缺陷形成、电子结构以及多重磁性、Dzyaloshinskii-Moriya、光学、超精细和晶场相互作用,这对建立光电子学和量子信息应用的基础至关重要。通过负形成能、负凝聚能、有利弹性常数及正声子频率,证实了原始相的化学、结构、力学及动力学稳定性。声子色散分析表明:α 相中 Ga-O 键均匀分布,而 β 相因各向异性多面体运动导致键长变化。缺陷形成能分析证实,Er 掺杂 α 相与 β 相 Ga2O3 均倾向于 Er3+(中性)态。通过混合泛函计算修正了标准密度泛函理论(DFT)计算中原始相带隙相对于实验值的低估问题,最终获得 α-Ga2O3 间接带隙为 5.21 eV,β-Ga2O3 间接带隙为 4.94 eV。位点偏好能分析表明 Er 部分占据了镓的八面体位点。两种相中 Er 超精细张量系数的各向异性性质相似,这可能源于 Er 占据相同镓八面体位点。另一方面,计算结果显示:α 相中两个 Er 掺杂剂间的磁交换作用为负值,而 β 相中为正值,表明前者处于反铁磁(AFM)基态,后者处于铁磁(FM)基态。在 α 相中沿 x 方向获得较大的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用(DMI),而在 β 相中沿 y 方向获得较大 DMI。这种强 DMI 可能支持奇异磁纹结构,为自旋电子学应用开辟了前景广阔的方向。对原始相和 Er 掺杂相的介电常数与折射率分析表明,计算结果与现有实验值吻合良好。计算结果表明 β 轴方向的光学各向异性略高于 α 轴,这源于 β 轴涉及较低对称性。基于密度泛函理论计算的晶场系数用于解析 4f 多重态及 4f−4f 跃迁。由此计算出的第一激发态最低能级至基态最低能级的跃迁波长约为 1.53 μm,与现有实验结果吻合良好,且处于量子通信波长范围之内。

 

原文链接:

https://doi.org/10.1103/z9jw-wvzd