【器件论文】钽和氧化镓基忆阻器的建模与仿真

        由印度爱兰斯大学的研究团队在学术会议2025 IEEE International Conference on Electronics, Computing and Communication Technologies (CONECCT)发布了一篇名为Modeling and Simulation of Tantalum and Gallium Oxide-based Memristors（钽和氧化镓基忆阻器的建模与仿真）的文章。

摘要

        本研究针对非易失性存储器与类脑计算领域，深入探讨了 Ta₂O₅ 与 Ga₂O₃ 忆阻器特性。忆阻器凭借卓越的写入和读取稳定性及断电后长期数据保存能力，其独特的开关行为使其有望应用于未来存储技术与人工智能系统。本研究采用 MATLAB 仿真技术，系统分析了 Ta₂O₅ 与 Ga₂O₃ 基器件的关键性能参数，包括切换速度与能耗、耐久性、数据保持能力及整体效率。研究表明：Ta₂O₅ 忆阻器具备更快的切换速度和高耐久性，适用于频繁数据读写的应用场景；而 Ga₂O₃ 忆阻器则具有更低的能耗特性，契合神经形态系统对低功耗的需求。这些成果充分展现了不同材料在忆阻器架构设计中的应用广度与战略价值。另一方面，Ga₂O₃ 忆阻器能耗更低，契合类脑系统对低功耗的需求。这些成果彰显了材料在忆阻器架构设计中的应用广度与重要性，推动基础与实践创新，为下一代应用开发节能高效的高性能计算技术奠定基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/CONECCT65861.2025.11306728