【联盟新闻】2025年度全球氧化镓产业多点突破

引言

        2025 年，全球氧化镓产业格局持续演进。国际企业在产能建设、合作拓展、市场布局等方面接连有新动作，推动行业生态逐步完善。基于联盟平台持续跟踪与发布的公开信息，可以看到日本、德国、英国、美国、韩国等国家的企业在不同环节的布局与推进节奏，产业生态正在稳步完善之中。

        以下内容将带您穿梭于国际氧化镓产业的前沿阵地，感受国际背景下企业的战略布局、合作实践与市场动作，把全球产业的活力与发展节奏一览无余。

日本NCT：持续引领全球氧化镓产业发展

        2025 年，作为全球氧化镓产业的龙头企业的日本株式会社 Novel Crystal Technology（NCT）全年接连取得重大突破。

        4 月，NCT 全球首发全氧化镓基 Planar SBD 器件，为科研和早期应用探索提供 Research Sample（RS）级产品，并提供两种电极规格，满足不同测试需求，为行业客户提供宝贵的验证与分析机会。 

        8 月，NCT 与美国 Kyma Technologies 合作开发高质量 Ga₂O₃ 外延片，面向多 kV 级功率器件商业化应用，通过结合两家企业衬底生产与外延生长优势，推动大面积低缺陷率外延片的产业化，为电动汽车、可再生能源及航空航天等高压电力电子市场提供关键支撑。

        11 月，NCT 推出 (011) 系列高品质外延片，外延厚度从 20 μm 提升至 30 μm，载流子浓度精确控制在 2–5×10¹⁵ cm⁻³，缺陷密度降低至 5 pcs/cm²，实现业界领先水平，为高端功率器件性能突破提供技术保障。

        12 月，在 NEDO 支持的项目中，NCT 成功开发 Drop-fed Growth（DG）法，无需使用昂贵铱坩埚，以液滴形式供给原料熔液，将 β-Ga₂O₃ 衬底制造成本降低至以往十分之一，为衬底低成本化和产业规模化奠定了基础。

        全年来看，NCT 在器件研发、外延片生产与晶体生长方法等多个环节的持续突破，不仅巩固了其国际龙头地位，也为全球氧化镓产业的稳健发展注入了新动力。

日本FLOSFIA：从关键器件突破到量产化验证

        在氧化镓功率半导体领域，主攻α-Ga₂O₃的日本企业 FLOSFIA 近一年内的进展呈现出清晰的时间递进关系。

        2025 年中，公司率先在 α-Ga₂O₃ MOSFET 中实现基于 p 型层结构的常关型器件运行，并在较高电流条件下完成验证，突破了长期被认为制约氧化镓器件实用化的核心结构难题，证明了完整器件结构在工程上的可行性。

        随后，在 2025 年末，FLOSFIA 将研发重心进一步推进至量产化层面，完成了 4 英寸晶圆制造技术验证，并同步解决了二极管器件在可靠性与一致性方面的关键问题，为后续产品线的稳定放量建立基础。

        整体来看，FLOSFIA 正从单项器件层面的技术突破，迈入以制造可行性与量产稳定性为核心的系统化推进阶段，技术路线愈发清晰。

日本三菱电机：披露氧化镓相关的开发研究

        2025 年 3 月，作为全球先进电子装备与系统供应商的三菱电机在尖端技术综合研究所展示了其前沿技术成果，并宣称将进行对氧化镓（Ga₂O₃）材料的研发工作。而这项氧化镓材料技术自 2024 年 6 月起已被新能源产业技术综合研究所（NEDO）“经济安全保障重要技术培养项目/高功率、高效率功率设备及高频器件材料技术开发”采用，并将在 NEDO 的支持下推进。此举标志着三菱电机正积极布局氧化镓，彰显氧化镓在下一代宽禁带半导体产业中的战略价值。

英国斯旺西大学CISM：建立首个4英寸氧化镓薄膜生长能力的平台

        2025 年 4月，位于英国南威尔士的斯旺西大学集成半导体材料中心（CISM）建立了英国首个可在 4 英寸衬底上生长高质量氧化镓（Ga₂O₃）薄膜的平台。该平台采用新投入使用的 AIXTRON 紧密耦合喷淋头（CCS）沉积系统，由英国工程与自然科学研究委员会（EPSRC）战略设备项目资助 270 万英镑，并部署在新建的氧化物与硫属化物 MOCVD 实验室中。该实验室现已成为英国氧化镓薄膜研究的国家级研发枢纽，研究方向涵盖功率电子、深紫外光探测器及透明导电氧化物（TCO）应用。

        同时于2025 年 6 月，CISM已与英国微重力制造企业Space Forge签署协议，成为首个入驻的实体企业，并可使用完整的半导体加工和表征设备。在该中心开展微重力环境下的制造研究。

        随着设备平台与研究合作的相继落地，氧化镓在英国功率电子研究体系中的关注度持续提升，其在高性能功率器件中的应用前景正在被进一步评估。

德国IKZ：氧化镓半导体材料技术开发项目正式启动

        2025 年 4 月，专注于晶体生长与材料研发的科研机构的德国莱布尼茨晶体研究所（IKZ）对外发布 EFRE 项目 “G.O.A.L.——功率电子用氧化镓应用实验室” 的最新进展。该项目于 2024 年 9 月启动，但随着关键设备与技术能力在 2025 年完成部署，其在氧化镓技术体系中的实际价值开始清晰呈现。

        在全球层面，日本、韩国和中国已陆续推进政府主导的氧化镓相关项目，美国则主要由空军体系持续推动该领域发展。在此背景下，欧洲与德国正加快在氧化镓功率电子方向的系统性布局。围绕氧化镓材料从研究走向器件应用所需的关键条件，该项目聚焦于 2 英寸晶圆层结构体系 的建设，引入 AIXTRON 工业级外延设备，并联合其他技术单位，协同推进 2 英寸氧化镓外延技术的工程化发展。

        未来，IKZ 计划在欧盟范围内确立其作为氧化镓外延晶圆研究合作伙伴与材料供应节点的角色，并联合柏林-勃兰登堡地区科研机构与企业，持续推进更大尺寸材料与器件方向的发展。随着 GOAL 项目的推进，氧化镓在欧洲功率电子体系中的材料基础正逐步成形，其作为下一代高效功率半导体材料的产业价值也愈发清晰。

德国NextGO Epi：正式成立，致力于推动第四代超宽禁带半导体的创新

        2025 年 5 月，由德国莱布尼茨晶体研究所（IKZ）孵化的企业 NextGO Epi 在德国柏林正式宣布成立，作为一家专注于高品质 β-Ga₂O₃ (氧化镓) 外延片的大规模制造公司，旨在为高功率和光电探测应用提供关键材料。

        NextGO Epi 采用金属有机化学气相沉积 (MOVPE) 技术，致力于为电动汽车、轨道交通系统和可再生能源基础设施等关键领域提供具有显著成本和性能优势的氧化镓基外延片。

        整体来看，NextGO Epi 的布局并非单点技术突破，而是围绕氧化镓外延这一产业关键环节，系统性补齐材料向器件过渡中的能力断层，其推进正在从材料侧为氧化镓进入下一代功率电子应用提供现实支点，也进一步确认了氧化镓在新一代宽禁带半导体材料体系中的清晰位置与中长期发展潜力。

美国Gallox：全球首家将氧化镓器件商业化的公司入选 Activate Fellowship 2025

        2025 年 8 月，康奈尔大学孵化的全球首家将氧化镓器件商业化的公司 Gallox 成功入选 Activate Fellowship 2025 年度项目。该项目为期两年，旨在支持科学家与工程师将科研成果转化为可持续发展的创业公司。

        Gallox 创始人 McCandless 在康奈尔大学攻读博士期间，长期从事氧化镓（Ga₂O₃）半导体相关研究，并在此基础上创立公司。相较传统半导体材料，氧化镓在功率器件中具备更低能耗与更高性能潜力，面向数据中心、无人机与航空航天、太空技术以及电动车充电等高功率应用场景。

        Gallox 此次入选，反映出氧化镓器件在新一代功率电子方向上正逐步进入工程化与商业化视野，也显示出以学术研究为起点的硬科技创业，正在成为先进半导体材料落地的重要路径。

韩国PowerCubeSemi：全球首家氧化镓半导体制造商计划上市

        2025 年 12 月，氧化镓厂商 PowerCubeSemi 正推进上市进程。公司已完成 60 亿韩元的 IPO 前融资，并计划于 2026 年在韩国创业板（KOSDAQ）申请上市。

        公司运营着全球首家面向氧化镓的大规模量产晶圆厂，已与多家寻求高效功率及射频解决方案的国际客户展开合作。相较传统硅材料，氧化镓在击穿电压与能量效率方面具备显著优势，正逐步进入电动汽车、数据中心及国防电子等高功率应用视野。

        在韩国将下一代半导体材料纳入国家级研发与产业投资重点的背景下，PowerCubeSemi 的上市筹备并非单一企业行为，而是反映出氧化镓正在从技术验证阶段，逐步进入可被资本市场定价与承载的产业阶段，为后硅时代的材料路线提供现实样本。

结语

        来自高校平台、科研机构、初创企业和产业资本的持续动作，正在从多个层面勾勒出氧化镓的发展图景。从材料生长和外延能力的建设，到器件方向的探索与应用场景的逐步拓展，再到产业化路径与资本布局的推进，氧化镓已被纳入各国下一代功率电子和宽禁带材料的整体规划之中。

        虽然相关进展仍处在不同阶段，但整体方向已经逐渐清晰：氧化镓不再只是停留在实验室中的“潜力材料”，而是开始在全球范围内被用于工程验证，并进入长期投入和持续优化的阶段。在持续推进与多方投入的共同作用下，氧化镓的发展节奏正在加速，其在宽带隙材料体系中的潜在空间正被持续打开，其长期发展前景值得期待。