【器件论文】氮离子注入沟槽底部的 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管反向阻塞性能改进

        由河南师范大学的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting & 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为Nitrogen Ion Implantation at Trench Bottoms for Improved Reverse Blocking Performance in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode（氮离子注入沟槽底部的 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管反向阻塞性能改进）的文章。

摘要

        本研究展示了通过沟槽底部氮离子注入增强反向阻断能力的垂直 β-Ga₂O₃ 沟槽式肖特基势垒二极管（SBD）。后退火注入有效抑制了电场聚集，将击穿电压从 1099 V 提升至 1676 V，而正向电流因载流子散射与补偿作用呈现适度下降。研究结果表明，选择性氮离子注入是调控沟槽结构电场分布的有效策略，为开发适用于电力转换、智能电网及电动驱动领域的高压高效 β-Ga₂O₃ 功率器件提供了前景广阔的途径。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/SSLCHINAIFWS69008.2025.11314995