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【器件论文】基于 InPixel CDS 的 Ga₂O₃ 紫外光探测器像素到列数字读出电路
日期:2026-02-02阅读:24
由山东工商学院的研究团队在学术会议 2025 10th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems (ICICM) 发布了一篇名为A Pixel-to-Column Digital Readout Circuit with InPixel CDS for Ga2O3 UV Photodetectors(基于 InPixel CDS 的 Ga2O3 紫外光探测器像素到列数字读出电路)的文章。
摘要
本文提出了一种面向 Ga2O3 紫外光探测器的像素到列数字读出电路架构。该读出电路主要由以下几个部分组成:像素级输入电路、列级可编程增益放大器(PGA)以及模数转换器(ADC)。在像素级输入电路中,采用了电容跨阻放大器(CTIA)结构,并引入了相关双采样(CDS)技术,以有效抑制复位噪声及其他低频噪声。列级 PGA 不仅对信号进行放大,还将输入级的单端信号转换为差分信号,以满足后级 ADC 的输入需求。ADC 部分采用了增量型delta-sigma ADC(IADC)架构,其中 IADC 调制器集成在片上读出电路中,而数字滤波器则在片外实现。所提出的读出电路基于台积电(TSMC)180 nm 标准 CMOS 工艺实现。仿真结果表明,在该读出电路中,像素级输入级在 1.8 V 输出摆幅下实现 99.99 % 线性度。经 CDS 处理后,输出复位噪声降至 625 μV。此外,实现的 IADC 支持 14 位数字信号转换。
原文链接:
https://doi.org/10.1109/ICICM66614.2025.11316039

