【会员新闻】赋能氧化镓产业｜晶升电子8英寸提拉法与6英寸VB晶体生长炉相继交付

        近日，山东晶升电子科技有限公司在氧化镓晶体生长设备领域捷报频传，接连实现多项关键技术成果落地。公司完全自主研发的6英寸VB晶体生长炉（非铱技术）与8英寸提拉法/导模法晶体生长炉相继完成全流程调试与严苛检测，成功交付国内重点高校和头部衬底企业。两台核心设备的顺利交付，既展现了晶升电子在高端晶体生长装备领域的持续自主创新能力，也体现了公司以设备为抓手，贯通科研验证与产业应用，助力氧化镓及宽禁带半导体材料产业加快迈向规模化发展的实践路径。

        本次交付的6英寸VB晶体生长炉，依托晶升电子自主研发的非铱核心技术，以坩埚下降法（VB法）为核心原理，专为氧化镓晶体实验室研发与验证打造，技术优势显著：

        ➡️电阻加热+梯度温场，精准控温

        采用电阻加热方式，可在炉膛内精准形成高于氧化镓熔点的梯度温度场，为晶体生长提供稳定、可控的温度环境，满足实验室精细化研发需求。

        ➡️坩埚下降法，适配氧化镓生长

        以经典VB法（坩埚下降法）为核心，装有原料的坩埚缓慢下降进入高温炉膛，原料完全熔化后随坩埚匀速下拉，晶体于坩埚底部逐步生长，生长过程稳定、可控。

        ➡️非铱技术，降本且适配性强

        搭载自主研发非铱核心技术，突破传统技术限制，同时炉膛气氛要求低，无需严苛的气氛控制条件，大幅降低实验室研发与操作成本。

        ➡️抑制分解，提升晶体品质

        针对氧化镓易分解的特性，设备通过精准的温场与工艺设计，能有效抑制氧化镓分解，从源头保障晶体生长的完整性与品质，为高校氧化镓材料研究提供坚实设备支撑。

        作为晶升电子的新一代核心产品，本次交付的8英寸提拉法晶体生长炉集结多项自主创新技术，专为高端晶体生长打造，全方位满足工业级生产需求：

        ➡️上称重自动等径控制，尺寸精准可控

        搭载上称重自动等径控制技术，结合高精度电子称与专属软件算法，可实时、精准反映晶体生长尺寸，从源头保障晶体生长的均匀性与稳定性，解决传统生长过程中尺寸偏差的行业痛点。

        ➡️双模兼容，适配多元生长需求

        依托公司多年技术积淀与成熟高温熔体法技术，设备可同时满足导模法、提拉法 氧化镓晶体生长需求，一机双模，为客户提供更灵活的工艺选择，适配不同应用场景的晶体制备需求。

        ➡️CCD全流程监控，智能动态调控

        创新引入CCD相机动态拍照功能，实现从调温启动到收尾结束的全阶段无死角监控，实时捕捉晶体直径、液位尺寸变化，并快速反馈至控制系统，精准指导拉晶过程的参数动态调整，让晶体生长全程可视、可控、可优化。

        ➡️多维度智能检测，护航生长全周期

        除基础尺寸测量外，设备集成熔料检测、液温检测、晶点检测、开叉检测、断线检测 等多重智能检测功能，全方位监控晶体生长关键节点，及时识别并预警异常情况，大幅提升晶体生长的良品率与生产效率。