【外延论文】通过低温热处理直接掺杂石英基底的 Ga₂O₃ 薄膜

        由西安邮电大学的研究团队在学术期刊 Ceramics International 发布了一篇名为 Direct Si doping into Ga₂O₃ films from quartz substrate by low temperature heat treatment（通过低温热处理直接掺杂石英基底的 Ga₂O₃ 薄膜）的文章。

摘要

        采用电子束蒸发法在石英衬底上制备了 β-Ga₂O₃ 薄膜，并研究了退火处理对薄膜结构和电学性能的影响。原始沉积态及退火后的 β-Ga₂O₃ 薄膜均呈多晶结构，其中在 500 °C 退火的薄膜表现出优异的电学性能，载流子浓度达到 6.55727 × 10¹⁸ cm^-3，载流子迁移率为 32.08672 cm²/V·s。薄膜良好的导电性主要归因于衬底中的 Si 向薄膜内部的直接扩散。此外，除退火温度外，薄膜的表面形貌，尤其是裂纹密度，也是影响薄膜导电性能的关键因素。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2026.01.162