【专家风采】冯倩 —— 技术专家委员会委员

冯倩  

      现为西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师。长期从事宽禁带/超宽禁带半导体材料与器件的研究，目前主要研究工作集中在超宽禁带半导体氧化镓材料的理论仿真研究，外延生长以及日盲紫外探测器、高压开关肖特基二极管和MOSFET器件的研究。在IEEE Electron. Device Letter, IEEE Trans. Electron Devices、Applied Physics Letters等国际著名期刊及会议上发表论文50余篇，申请/授权专利40余项，获省部级奖励三项，国家技术发明奖二等奖一项。先后承担和参与了国家自然科学基金面上项目、自然基金重点项目、国家科技重大专项、国家重点研发计划等多项国家级部委级项目。

成果展示

      冯倩教授从事宽禁带半导体材料与器件研究二十余年，学术专长主要集中在宽禁带半导体材料的外延生长与表征、器件设计与制备等应用基础性研究方面。在超宽禁带氧化镓器件研究方面，研究团队采用斜面结构结合原位F等离子体处理技术，大大提高了垂直型氧化镓肖特基二极管的击穿电压，而正向导通电阻仅为2.5mΩ·cm²(IEEE Electron Device Letters,41,441,2020),此外，通过在肖特基金属接触与氧化镓漂移层插入一层20nm的TiO₂,很大程度上改善了肖特基二极管的反向漏电特性，而正向导通特性却几乎不受影响(IEEE Transactions on Electron Device,67,5628,2020)。基于高k复合栅介质结构实现了氧化镓增强型MOSFET器件，击穿电压超过2000V(Applied Physics Letters,116,243503, 2020, IEEE Electron Device Letters,41,333,2020)。

专家寄语

      氧化镓是特性更为优异的新型半导体材料，更适合于研制高压开关和高压功率器件。在高压逆变器、电力传输等领域都有着广泛的应用。因此团队将致力于生长出质量更优更均匀的外延材料，使之适合于高压器件的研制，并开展器件结构设计与制备，尽最大可能发挥出氧化镓材料的优势。