【外延论文】基于与 β-Ga₂O₃ 模板层界面作用的 κ-Ga₂O₃ 增强异质外延及电学性能研究

        由美国西北大学的研究团队在学术期刊 Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 发布了一篇名为Investigation of Enhanced Heteroepitaxy and Electrical Properties in κ-Ga₂O₃ Due to Interfacing with β-Ga₂O₃ Template Layers（基于与 β-Ga₂O₃ 模板层界面作用的 κ-Ga₂O₃ 增强异质外延及电学性能研究）的文章。

摘要

        通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的异质外延 κ-Ga₂O₃ 薄膜，由于引入了 β-Ga₂O₃ 模板层界面结构，表现出更优异的材料与电学性能。此前，在蓝宝石衬底上生长的 κ-Ga₂O₃ 由于外延层与衬底之间的晶格失配所引入的应变，产生了较多材料缺陷，因此难以充分发挥其潜在性能。通过在 c 面蓝宝石（c-sapphire）衬底上引入 β-Ga₂O₃ 模板层，可以获得更高质量的 κ-Ga₂O₃ 薄膜。这一点从多项表征结果中得到验证，包括更平滑的表面形貌、更窄的 X 射线衍射（XRD）峰宽以及更优异的电学性能。由 β-Ga₂O₃ 缓冲层所带来的这一效应具有重要意义，不仅有助于进一步提升现有器件性能，也为 Ga₂O₃ 新型器件应用的拓展提供了良好的发展前景。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssa.202200559