【外延论文】双温区独立供氧 LPCVD 法生长氧化镓薄膜

        由大连理工大学、东北师范大学的研究团队在学术期刊 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology 发布了一篇名为Growth of Ga₂O₃ Thin Films by Dual-Zone LPCVD with Independent Oxygen Supply（双温区独立供氧 LPCVD 法生长氧化镓薄膜）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃ 作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，因其具有高击穿电场、优异的化学稳定性及热稳定性，在高压功率器件和深紫外光电器件等领域展现出广阔的应用前景。本研究采用碳热还原低压化学气相沉积法，在蓝宝石衬底上成功制备了具有单一（-201）晶面取向的高质量 β-Ga₂O₃ 薄膜。生长系统采用双温区管式炉结构，通过分离镓源区与衬底生长区、独立供氧至衬底区域，实现了对不同温区参数的独立调控。该设计有效抑制了气相寄生反应，增强了工艺调控的自由度，从而显著提升了薄膜生长的可控性。系统研究了衬底温度和反应压强对薄膜结晶质量、表面形貌及光电性能的影响，在此基础上优化并建立了可重复的高质量 β-Ga₂O₃ 薄膜生长工艺，为低成本制备氧化镓薄膜提供了一种可行途径。

原文链接：

https://doi.org/10.13922/j.cnki.cjvst.202603001