【会议论文】通过低温氧化物-分子束外延在β-(InₓGa₁₋ₓ)₂O₃中进行带隙调谐

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学和法国Riber的Zhirun Li、Jonathan Wagstaff、Tien Khee Ng、Huafan Zhang、Mihai Apreutesei、Bambar Davaasuren、Nimer Wehbe、Wojciech Ogieglo、Yue Wang、Redha H. Al Ibrahim和Boon S. Ooi联合发表的一篇名为《Bandgap tuning in β-(In_xGa_1-x)₂O₃ by low-temperature oxide-molecular-beam-epitaxy》的论文文章。该文章介绍氧化物的掺杂。