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【会议论文】在ScAlMgO₄衬底上通过Mist-CVD法生长Ga₂O₃薄膜
日期:2023-04-21阅读:215
论文简介:来自立命馆大学、京都大学桂校区、日本OXIDE和日本FLOSFIA的S. Yamashita、H. Takane、J. Wada、Y. Yamafuji、J. Kikawa、M. Matsukura、T. Kojima、T. Shinohe、K. Kaneko和T. Araki联合发表了一篇名为《Growth of Ga2O3 film on ScAlMgO4 substrate by Mist-CVD》的论文文章。该文章介绍通过Mist-CVD法生长Ga2O3薄膜。