【会员新闻】郝跃等院士领衔共议射频与功率器件——电子科技大学、成都信息工程大学主办专题论坛

        4月16日至19日，由中国电子学会主办的第十九届中国电子信息年会在武汉召开。来自全国的院士专家、企业代表、政府有关领导等近1000人参加本次大会。

        大会期间，电子科技大学及成都信息工程大学联合主办了“射频和功率器件与集成电路”专题论坛。论坛主席由中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授，以及中国工程院院士、中国电子学会常务理事、北京航空航天大学苏东林教授共同担任。电子科技大学校长何建新教授出席论坛并致辞。近200位来自全国的专家学者、企业代表和高校师生参会，成都信息工程大学副校长罗小蓉教授与电子科技大学杨涛教授担任执行主席并主持论坛。

        论坛开幕式上，郝跃代表主席团致辞，对与会专家学者、产业界代表及青年师生表示欢迎。他指出，射频和功率器件与集成电路是电子信息产业的重要基础，在集成电路、轨道交通、先进能源等战略性新兴领域发挥着关键作用，并寄语青年学者勇担使命，积极投身核心技术攻关。

        苏东林在致辞中强调，射频和功率器件与集成电路是电子信息产业高质量发展的关键支撑，呼吁高校、科研院所与企业加强协同创新，推动学科交叉融合，强化基础教育与实践创新能力培养，加快关键技术突破与产业化进程。

        何建新在致辞中表示，电子科技大学与成都信息工程大学联合主办本次专题论坛，旨在搭建高水平学术交流平台。他提出，应将论坛打造为学术思想交流的重要载体，促进原创性成果产出；加强产教融合，推动科技成果转化；同时注重青年人才培养，为产业长远发展提供持续动力。

        论坛由罗小蓉主持。会议期间，她还作了题为“面向高效电力电子应用的GaN/Si混并联开关”的专题报告，分享了相关研究进展。

        论坛期间，来自北京大学、北京航空航天大学、电子科技大学、北京邮电大学、西安电子科技大学、复旦大学等高校及微电子领域企业的专家，围绕射频与功率器件、宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件、微波毫米波集成电路及产业应用等方向作了多场报告。此外，还举办了“宽禁带·拓未来——宽禁带半导体射频与功率器件创新与发展高峰圆桌论坛”，围绕技术路径、应用需求与产业生态等议题展开深入讨论。

        两校共有30余名师生参与论坛交流。与会师生表示，通过聆听报告与参与讨论，对相关领域的前沿进展与产业趋势有了更深入的认识。

        据悉，本届年会以“e创未来”为主题，设置2场主论坛及近百场专题活动，汇聚两院院士及行业专家，围绕电子信息产业关键技术与发展趋势展开交流，搭建了政产学研用金融合发展的重要平台。