【器件论文】基于II型CuBr/β-Ga₂O₃ p-n异质结的高性能自供电深紫外光探测器用于紫外成像

        由鲁东大学的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为High Performance Self-powered Deep Ultraviolet Photodetector Based on Type-II CuBr/β-Ga₂O₃ p-n Heterostructure for UV Imaging（基于II型CuBr/β-Ga₂O₃ p-n异质结的高性能自供电深紫外光探测器用于紫外成像）的文章。

摘要

        自供电深紫外光电探测器在监测与通信、天文观测、导弹制导以及光学成像等领域具有重要应用潜力。本文采用脉冲激光沉积与真空热蒸发技术，构建了一种基于 p-CuBr / n-β-Ga₂O₃ 的Ⅱ型异质结，用于深紫外光探测及成像应用。在 255 nm 深紫外光照下，该异质结器件表现出优异的深紫外响应特性，在 0 V 偏压条件下，其峰值响应度达到 38.99 mA/W，比探测率达到 3.37 × 10¹² Jones。在 255 nm 周期性光照条件下，器件展现出良好的重复性和运行稳定性，同时具备较快的响应时间（86 ms）和恢复时间（51 ms）。该研究为实现高性能自供电深紫外光电探测器提供了一种新的有效途径。

DOI：

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2026.187142