【器件论文】紫外处理后退火诱导的氧化铟镓/氧化铟镓锌双层沟道层选择性结晶及其高性能氧化物薄膜晶体管研究

        由韩国延世大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Materials & Interfaces发布了一篇名为Layer-Selective Crystallization of Indium–Gallium Oxide and Indium–Gallium–Zinc Oxide Bilayer Channel Induced by Annealing After UV Treatment for High-Performance Oxide Thin-Film Transistors（紫外处理后退火诱导的氧化铟镓/氧化铟镓锌双层沟道层选择性结晶及其高性能氧化物薄膜晶体管研究）的文章。

摘要

        采用由晶态铟镓氧（IGO）与非晶铟镓锌氧（IGZO）构成的双层沟道结构，并结合紫外处理后退火（AAU）工艺，实现了对氧化物薄膜晶体管（TFTs）迁移率与稳定性的同步提升。有序晶态IGO层的形成以及双导电沟道的构建有助于载流子传输，同时金属—氧键的重排抑制了与氧相关的缺陷，这些因素共同提升了器件的电学性能。结果表明，经AAU处理的IGO/IGZO TFT表现出场效应迁移率（μ_FE）为42.39 cm²/V·s、亚阈值摆幅（S.S.）为0.42 V/decade、开关电流比为1.01 × 10⁸以及阈值电压（V_TH）为0.71 V。在偏压稳定性方面，在正偏压应力（PBS）、负偏压应力（NBS）以及负偏压光照应力（NBIS）测试条件下，其阈值电压（V_TH）分别发生了+3.28 V、−0.15 V和−2.22 V的漂移。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.5c2472