【会议论文】MBE法在(-201)β-Ga₂O₃上生长GaN

        论文简介：来自美国Azimuth公司和美国空军研究实验室、怀特帕特森空军基地材料和制造局的Alexander Chaney、Adam Neal、Shin Mou和Thaddeus Asel联合发表了一篇名为《MBE growth of GaN on (-201) β-Ga₂O₃》的论文文章。该文章介绍了在β-Ga₂O₃上生长GaN。