【会员新闻】富加镓业董事长齐红基受邀出席2026九峰山论坛并作主题报告
日期:2026-04-27阅读:45
富加镓业创始人、董事长齐红基受邀出席2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会,并作题为《氧化镓产业化思考——12英寸氧化镓单晶技术突破助力产业落地》的重磅主题报告。
4月23日,备受瞩目的2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在中国光谷科技会展中心正式启幕。本届盛会人气空前,开展首日千家企业齐聚光谷,新品集中首发。据统计,首日观展人数突破15000人次,创下九峰山论坛单日观展人数新高,线上云直播观看量超11万人次。在这场全球半导体产业的顶级盛会上,杭州富加镓业科技有限公司创始人、董事长齐红基受邀出席,并作题为《氧化镓产业化思考——12英寸氧化镓单晶技术突破助力产业落地》的重磅主题报告。

齐红基在报告中首次系统阐述了12英寸大尺寸单晶技术突破对氧化镓产业化的深远意义。作为第四代半导体的核心材料,大尺寸、高品质氧化镓晶体的制备是制约其规模化应用的至关重要的一环,它直接关系到产业化的核心——“降低成本,兼容产线”。富加镓业率先实现12英寸单晶技术突破,不仅有效降低了材料的边际成本,更打通了与现有成熟半导体晶圆产线的兼容路径,为氧化镓在高性能功率器件、微波射频器件等领域的规模化落地提供了关键的材料支撑。

在报告中,齐红基结合富加镓业的产业化实践,深度剖析了当前氧化镓产业链面临的机遇与挑战。他指出,从“实验室”走向“生产线”,需要全产业链的紧密协同。富加镓业始终坚持以产业需求为导向,依托自主创新的VB法(垂直布里奇曼法)晶体生长技术,不断刷新全球氧化镓单晶尺寸纪录。未来,公司将进一步优化12英寸单晶的生长工艺和衬底加工技术,加速推进高质量、大尺寸氧化镓衬底的量产进程,以满足下游器件企业日益增长的需求。

此次受邀在九峰山论坛作主题报告,充分体现了业界对富加镓业在第四代半导体材料领域技术实力和产业化进程的高度认可。富加镓业将继续秉承“让世界用上好材料”的愿景,深化与科研院所及上下游企业的合作,共同构建完善的宽禁带半导体产业生态,为推动我国新质半导体产业的高质量发展贡献力量。
产品介绍
氧化镓设备:
公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备,可以满足2-8英寸晶体生长需求,目前获得国内授权专利6项,国际授权专利4项,可提供设备及配套工艺包。公司自行研制了全自动 VB 晶体生长设备,并在国内率先突破了12英寸单晶生长技术瓶颈,实现了大尺寸 VB 法单晶制备。目前获得国内授权专利6项,国际授权专利4项,可根据客户需求提供VB设备及工艺包。
氧化镓单晶衬底:
作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商,我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖2-8英寸26种常规性氧化镓衬底产品,并能够提供尺寸,电学性能与晶向的定制化方案,满足高质量外延片研发及批量制备需求。
氧化镓外延片:
基于成熟的 MOCVD(金属有机化学气相沉积)与 MBE(分子束外延)技术平台,我们的产品线覆盖 2-6 英寸等15种常规性氧化镓外延片产品,及定制化 MBE 氧化镓外延片产品,为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系,可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数,能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。
企业简介
杭州富加镓业科技有限公司
公司成立于2019年12月31日,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作,核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法(VB法)及导模法(EFG法)晶体生长装备等,为材料研制提供系统性解决方案,加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通,推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获CCTV、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总: 2022年获得浙江省科技型中小企业;2023年获得国家高新技术企业;2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业;2025年获得 ISO9001质量体系认证(编号:20225Q20294R0M);2024年度杭州市“新雏鹰”企业;在氧化镓领域,正牵头起草氧化镓领域首个国家标准,并承担了国家发改委项目1项,国家工信部项目1项,参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外,获得国际专利授权14项(美国 6 项,日本7项,欧洲1项),国内专利授权42项,“富加镓业”商标认证注册3项,软件著作权(“一键长晶”控制软件)5项。

