【器件论文】用于提升In/Ni/Ga₂O₃/In光探测器光响应性能的协同后处理策略

        由南京邮电大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为A Synergistic Postprocessing Strategy for Enhancing Photoresponse Performance of In/Ni/Ga₂O₃/in Photodetector（用于提升In/Ni/Ga₂O₃/In光探测器光响应性能的协同后处理策略）的文章。

摘要

        后处理技术是提升器件性能的关键技术策略之一。通过合理选择并协同应用后处理技术，可以更好地释放材料在器件应用中的内在潜力。在本研究中，分别采用氩（Ar）等离子体处理和真空高温退火工艺，并对Ga₂O₃和Ni/Ga₂O₃薄膜进行后处理，并探索了这两种工艺的协同作用。结果表明，协调的后处理操作有助于在薄膜表面引入更多的氧空位缺陷，同时实现薄膜表面的清洁并改善体晶体质量，这有利于紫外光吸收、光生载流子捕获以及载流子的快速传输和收集，从而提升光探测性能。此外，通过后处理操作对表面Ni层进行调制，由于耗尽层的形成，导致暗电流降低，上升时间缩短。最终，Ga₂O₃光探测器 (PD) 的光响应性能得到了有效提升，光暗电流比 (PDCR) 从11显著提高到11475，为未来基于Ga₂O₃的PD的优化提供了新的策略和宝贵的见解。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/TED.2026.3687535