【器件论文】基于二维β-Ga₂O₃的高性能肖特基二极管在电压调节中的应用

        由复旦大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、空天信息大学、西北工业大学的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为High-Performance Schottky Diodes Based on 2-D β-Ga₂O₃ for Voltage Regulation（基于二维β-Ga₂O₃的高性能肖特基二极管在电压调节中的应用）的文章。

摘要

        基于厚度为10 nm的二维β-氧化镓（β-Ga₂O₃）片层，制备了一种高性能肖特基势垒二极管（SBD），用于紧凑型电源管理集成电路（PMIC）。该Pd/β-Ga₂O₃ SBD展现出超过10⁷的高整流比、1.48的低理想系数，以及在1000个循环中保持的优异稳定性。这一性能归功于其原始、原子级锐利的金属-半导体界面，这得益于在1000°C下生长出的 β-Ga₂O₃ 所具有的高热稳定性。利用这些特性演示了一种电压调节电路，可为直流和交流信号提供稳定且可扩展的输出。该器件还因半绝缘层（SIL）的形成而展现出超过30 MV/cm的卓越击穿场强，凸显了二维β-Ga₂O₃在下一代大功率电子器件中的应用潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/TED.2026.3688218