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【会议论文】考虑到界面偶极层形成影响的SiO₂/β-Ga₂O₃(001)带状排列的研究

日期:2023-04-21阅读:190

        论文简介:来自东京大学工学材料系和东京大学先进材料科学系的D. Takeda和K. Kita联合发表的一篇名为《Investigation of SiO2/β-Ga2O3(001) band alignment considering the effects of interface dipole layer formation》的论文文章。该文章是关于界面偶极层形成影响的SiO2/β-Ga2O3(001)的研究。