【专利信息】天岳先进申请氧化镓生长装置相关专利，同炉多坩埚生长氧化镓晶体，提速率减缺陷

        国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法”的专利。申请公布号为CN122147528A，申请号为CN202610402210.6，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2026年3月30日。

        专利摘要显示，本申请公开了一种氧化镓晶体同步生长装置及生长方法，属于晶体制备技术领域，包括：炉体、组合坩埚、坩埚盖、升降旋转组件，所述炉体的内部自上而下设置有第一温区、过渡温区和第二温区；所述组合坩埚设置在所述炉体内部，所述组合坩埚包括若干自上而下依次设置的坩埚本体，所述坩埚本体包括侧壁和底壁，所述坩埚本体呈上宽下窄的漏斗型，上方的坩埚本体底部横向直径小于下方坩埚本体的顶部开口横向直径，且上方的坩埚本体靠近底部的外侧壁与下方坩埚本体靠近顶部开口的内侧壁相贴合。该装置通过利用多个坩埚本体在同炉进行氧化镓晶体生长，提升氧化镓晶体的生长速率，减少氧化镓晶体中的裂纹、孪晶等缺陷。

        天岳先进成立于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券交易所上市，注册地址位于山东省济南市，办公地址位于山东省济南市和中国香港。该公司是国内领先的碳化硅衬底生产商，具备先进的晶体生长技术，产品质量达到国际先进水平。

        天岳先进主营业务为碳化硅衬底的研发、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，涉及第三代半导体、半导体材料概念、碳化硅等概念板块。