【专利信息】瞄准氧化镓薄膜转移难题，福建晶旭半导体提出ε-Ga₂O₃湿法剥离新方案

        国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请一项名为“一可湿法剥离的ε相氧化镓薄膜叠层结构及其制备方法、剥离方法”的专利。申请公布号为CN122205926A，申请号为CN2026100812007，申请公布日期为2026年6月12日，申请日期为2026年1月21日。

        专利摘要显示，本发明公开了一种可湿法剥离的ε相氧化镓薄膜叠层结构及其制备方法、剥离方法，涉及半导体薄膜生长技术领域。其中，可湿法剥离的ε相氧化镓薄膜叠层结构包括衬底，依次层叠于所述衬底上的超晶格层和ε相氧化镓层；其中，所述超晶格层包括交替层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为氧化锌层、氧化锌镓层或氧化锌铝层；所述第二子层为GaOx层。实施本发明，可实现ε相氧化镓薄膜的湿法剥离，且剥离良率高。

        福建晶旭半导体是全球领先的光电集成芯片(OEIC)和宽禁带化合物半导体外延薄膜材料制造商，其氧化镓晶圆制备技术处于国际领先地位。成功研制出高质量氧化镓异质外延生长工艺，已实现6英寸硅基氧化镓单晶压电薄膜晶圆的批量制备，是国际上首个获得优质大尺寸硅衬底氧化镓晶圆的企业，竭力为用户提供氧化镓单晶薄膜异质键合晶圆材料（POI)及其高频、大功率、大带宽滤波器的综合解决方案，产品广泛应用于5G/6G通信、智能物联、航空航天、新能源汽车、高端装备制造、轨道交通、雷达系统等多个关键领域。