【衬底论文】在 β-Ga₂O₃ 衬底上生长铁电 ScAlN 的分子束外延

        由北京信息科技大学、北京大学、山东大学、苏州实验室的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Molecular beam epitaxy of ferroelectric ScAlN on β-Ga₂O₃ substrates（在 β-Ga₂O₃ 衬底上生长铁电 ScAlN 的分子束外延）的文章。

摘要

        该团队展示了通过分子束外延法在无任何缓冲层的情况下，利用表面预氮化技术在 β-Ga₂O₃ 基底上外延集成铁电性 ScAlN 薄膜。所得 ScAlN 薄膜表现出稳健的铁电性，其特征为较大的表观剩余极化（>150 lC/cm²）、良好的保持性（>10⁵ s）以及在高达 10⁵ 次切换循环中观察到的极小疲劳。高分辨率 X 射线光电子能谱揭示了 ScAlN/β-Ga₂O₃ 异质界面处的 II 型能带排列，提取的价带和导带偏移量分别为 0.5 和 1.0 eV。这些结果建立了一个氧化物/氮化物异质结构平台，该平台将 ScAlN 的固有铁电性与 β-Ga₂O₃ 的超宽带隙和光敏特性相结合，为下一代非易失性存储器、光电探测和光电子突触器件提供了极具吸引力的机遇。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0324858