【器件论文】β-Ga₂O₃薄膜日盲光电探测器研究进展与性能提升策略

        由辽宁师范大学的研究团队在学术期刊《中国表面工程》发布了一篇名为 Research Progress and Performance Enhancement Strategies for β-Ga₂O₃ Thin Film Solar-Blind Photodetectors（β-Ga₂O₃ 薄膜日盲光电探测器研究进展与性能提升策略）的文章。

摘要

        日盲紫外（200-280 nm）光电探测器在国防安全、深空探测和高端感知等领域具有重要应用价值。β-Ga₂O₃ 作为典型的超宽禁带半导体材料，因其优异的本征光谱选择性和稳定性，成为发展该类探测器的核心材料。近年来，尽管相关研究不断深入，但当前多数综述侧重于材料特性或特定结构，缺乏对 β-Ga₂O₃ 薄膜型探测器从制备方法到器件结构与性能优化的系统总结。围绕 β-Ga₂O₃ 薄膜日盲光电探测器，全面综述了其制备工艺、典型器件结构及性能提升策略，归纳其发展瓶颈与关键改进路径。从材料-结构-性能三维视角出发，构建了较为完整的研究体系，重点补充了对 MSM 类结构优化及薄膜异质结集成的系统认知，拓展了该领域的研究深度与应用广度，具有较强的参考价值与指导意义。

知网链接：

https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=yLAonKG4u-SUKHn_FwHrsSdUl1w1M5XGP8zPRrDkGhdzaNJBia-zpVL9-_qaxvmEeF_d2u95KaUMdgNMWY4QlzlymKo0qMvnUceE0irEksZih1QZCbeRyGZMxqbYcElba43ycR0IgowqBLyyOCprjfIuVQ7UgwpPFcDKDwtjE-BmZwtMCaIJ5g==&uniplatform=NZKPT&language=CHS