【其他论文】用于自供电深紫外光电探测器的 GaN/Sn:Ga₂O₃@MgO/石墨烯核壳纳米线

        由中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学重庆学院、迈洛电子（北京）有限公司的研究团队在学术期刊 ACS Applied Nano Materials 发布了一篇名为 GaN/Sn:Ga₂O₃@MgO/Graphene Core–Shell Nanowires for Self-Powered Deep-UV Photodetector（用于自供电深紫外光电探测器的 GaN/Sn:Ga₂O₃@MgO/石墨烯核壳纳米线）的文章。

摘要

        为了解决 β-Ga₂O₃ 纳米线（NW）光电探测器中暗电流大和表面缺陷多的问题，该团队报道了一种基于 GaN/Sn:Ga₂O₃@MgO/石墨烯的多层核壳异质结构。通过化学气相沉积（CVD）法在 GaN 基底上生长掺锡 Ga₂O₃ 纳米线阵列，随后热蒸发 MgO 钝化壳层并旋涂石墨烯。MgO 壳层通过能带弯曲抑制表面态复合并促进载流子分离，而石墨烯层则优化载流子传输路径和能级匹配。在 254 nm 光照（82 uW/cm²）下，该器件表现出优异的性能：低暗电流为 85.6 pA，高光暗电流比（PDCR）为 2.13×10⁴，响应率为 0.71 A/W，比探测率（D^*）为 2.40×10¹³ Jones。这种协同架构为高性能深紫外（DUV）探测提供了一种稳健的策略。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsanm.6c01763