【会议论文】利用电感耦合等离子体活性离子刻蚀技术对β-Ga₂O₃亚微米结构的锥角依赖性研究

        论文简介：来自阿卜杜拉国王科技大学先进半导体实验室，电气和计算机工程项目的Glen Isaac Maciel García、Saravanan Yuvaraja、Vishal Khandelwal、Yi Lu和Xiaohang Li联合发表了一篇名为《Taper angle dependence of β-Ga₂O₃ submicron structures using inductively coupled plasma reactive ion etching》的论文文章。该文章介绍了电感耦合等离子体活性离子刻蚀技术的锥角依赖性的研究。