【器件论文】通过 Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 异质结构提高 Ga₂O₃ 紫外光探测器的性能

        由电子科技大学的研究团队在学术期刊 Vacuum 发布了一篇名为 Improve the performance of Ga₂O₃ ultraviolet photodetector via Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ heterogeneous structure（通过 Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 异质结构提高 Ga₂O₃ 紫外光探测器的性能）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）因其超宽的本征带隙，成为深紫外（UV）光电探测器的关键材料。在本研究中，该团队通过分子束外延（MBE）技术在蓝宝石基底上生长了不同铟（In）浓度的 (InGa)₂O₃ 薄膜。随后，该团队基于纯 Ga₂O₃ 和 Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 异质结构，制备了金属-半导体-金属（MSM）紫外光电探测器。由 I 型带排列引起的内建电场有效抑制了 Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 器件的暗电流。在 10 V 偏压下，255 nm 波长照射下，Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 器件表现出优异的性能，其响应率为 671.1 A/W，探测率高达1.25×10¹⁵ Jones。这些结果显著优于 Ga₂O₃ 器件，表明 Ga₂O₃/(InGa)₂O₃ 异质结构是提升紫外光电探测器性能的一种有前景的策略。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2026.115578