【器件论文】具有氟离子掺杂边缘端接的高压垂直 Ga₂O₃ JBS 二极管

        由西安电子科技大学的彭博博士联合西安理工大学的研究团队在学术期刊 Journal of Physics D: Applied Physics 发布了一篇名为 High Voltage Vertical Ga₂O₃ JBS Diode with Fluorine Ion Implanted Edge Termination（具有氟离子掺杂边缘端接的高压垂直 Ga₂O₃ JBS 二极管）的文章。

摘要

        本研究报告了通过氟（F）离子注入制备的 Ga₂O₃ 准 JBS 二极管的电学性能。与肖特基势垒二极管（SBD）相比，采用边缘终端（ET）和场限环（FLR）的 JBS 二极管的反向漏电流降低了近三个数量级，且带 FLR 的 JBS 二极管的击穿电压超过 2000 V。随着氟离子注入比例的降低，漏电流增加，击穿电压相应降低。相应地，反向击穿机制逐渐从软击穿转变为硬击穿。温度依赖性测量结果表明，氟离子注入形成的势垒随温度升高而逐渐消失，导致正向导通时双势垒效应消失，反向漏电流显著增加，击穿电压显著降低，这表明漏电流机制发生了变化。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6463/ae8032